据台湾媒体《经济日报》报道，晶圆代工厂台积电2nm制程将于2025年量产，预计市场将领先对手三星和英特尔。
台积电先进工艺进展顺利，3nm今年下半年量产，升级版3nm（N3E）制程将于3nm一年后量产，即2023年量产，2023年量产nm预计2025年量产。
台积电2nm工厂将实施竹科宝山二期扩建计划，竹科管理局已启动公共设施建设，台积电2nm厂也开始进行整地作业。
台积电2nm与纳米片架构相比，纳米片架构首次采用N3E在相同功耗下，工艺频率可提高10%至15%。功耗降低25%至30%，频率相同。
台积电总裁魏哲家近日在技术论坛上强调，台积电2nm它将是密度最好、效率最高的技术。市场也乐观，台积电2nm三星和英特尔将领先对手。
得知此前有消息称，虽然是3nm世代略显保守，但无论如何，鳍片（Fin）宽度接近实际极限，再往下走就会遇到瓶颈，所以外资法人估计台积电2nm先进工艺采用环绕闸极效电晶GAAFET高端架构生产2nm芯片。
